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IRL2703S データシート PDF

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部品番号
IRL2703S

HEXFET Power MOSFET


PD - 9.1360 PRELIMINARY l l l l l l IRL2703S HEXFET® Power MOSFET D Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanc


International Rectifier
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文字列「 IRL2703 」「 2703S 」で始まる検索結果です。

部品説明

IRL2703

HEXFET Power MOSFET

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IRL2703PBF

HEXFET Power MOSFET

PD - 95368 IRL2703PbF • Lead-Free www.irf.com 1 6/17/04 IRL2703PbF 2 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 3 IRL2703PbF 4 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 5 IRL2703PbF 6 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 7 IRL2703PbF TO-220AB Packag

International Rectifier
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2SC2703

Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2703 Audio Power Amplifier Applications 2SC2703 Unit: mm • High DC current gain: hFE = 100 to 320 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltag

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

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2SC2703

Silicon NPN transistor

2SC2703(BR3DG2703L) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92LM 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. 特征 / Features 直流增益高:hFE=100~320。 High DC current gain: hFE=100~320. 用途 / Applications

BLUE ROCKET ELECTRONICS
BLUE ROCKET ELECTRONICS

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2SD2703

General purpose amplification

2SD2703 Transistors General purpose amplification (30V, 1A) 2SD2703 zApplication Low frequency amplifier zExternal dimensions (Unit : mm) (2) 0~0.1 zFeatures 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE(sat) ≦ 350mV At IC = 500mA / IB = 25mA

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

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2SK2703

MOSFET ( Transistor )

2SK2703 Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 450 ± 30 ± 10 ± 40 75 (Tc = 25ºC) 300 10 150 –55 to +150 (Ta = 25ºC) External dimensions 2 ...... FM100 Electrical Characteristics Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS A A W mJ A º

Sanken electric
Sanken electric

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