IRG8P15N120KDPBF データシート PDFこの部品の機能は「Insulated Gate Bipolar Transistor」です。 |
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部品番号 |
IRG8P15N120KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD-EPbF VCES = 1200V IC = 15A, TC =100°C Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode C tSC 10µs, TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = International Rectifier |
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部品説明 |
IRG8P15N120KD-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRG8P15N120KDPbF IRG8P15N120KD-EPbF VCES = 1200V IC = 15A, TC =100°C Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode C tSC 10µs, TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 10A Applications • Industrial Motor Drive • UPS • Solar Inver International Rectifier |
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