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Datasheet IRG7PK35UD1-EPBF Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IRG7PK35UD1-EPBF | Insulated Gate Bipolar Transistor
IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1400V IC = 20A, TC =100°C TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = 2.0V @ IC = 20A
G
C
C
C
G
E
C
E G
C
E
Applications Induction heating Microwave ovens Soft s |
International Rectifier |
IRG7PK35UD1-E Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IRG7PK35UD1-EPbF | Insulated Gate Bipolar Transistor |
International Rectifier |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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