IRFZ34NPBF データシート PDFこの部品の機能は「Hexfet Power Mosfet」です。 |
検索結果を表示する |
部品番号 |
IRFZ34NPBF HEXFET Power MOSFET PD - 94807 IRFZ34NPbF HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Ease of Paralleling Lead-Free Descript International Rectifier |
文字列「 IRFZ34 」「 34NPBF 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
IRFZ34 Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ 175°C Operating Temperature ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 60V ♦ Lower RDS Fairchild Semiconductor |
IRFZ34 (IRFZ30 / IRFZ34) N-Channel Power MOSFET
Samsung Electronics |
IRFZ34 Power MOSFET ( Transistor )
International Rectifier |
IRFZ34 (IRFZ34 / IRFZ35) N-Channel Transistors
International Rectifier |
IRFZ34 Power MOSFET ( Transistor ) IRFZ34, SiHFZ34 Vishay Siliconix Power MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 46 11 22 Single D FEATURES 60 0.050 • Dynamic dV/dt Rating • 175 °C Operating Temperature • Fast Switching • Ease of Parallelin Vishay |
IRFZ34 Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB New Jersey Semiconductor |
当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |