IRFY9130C データシート PDFこの部品の機能は「Power Mosfet Thru-hole」です。 |
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部品番号 |
IRFY9130C POWER MOSFET THRU-HOLE PD - 91293B www.Datasheet.jp POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number IRFY9130C IRFY9130CM IRFY9130C,IRFY9130CM 100V, P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY ® R DS(on) 0.3 � International Rectifier |
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部品説明 |
IRFY9130 P-Channel MOSFET IRFY9130 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 4.70 5.00 0.70 0.90 3.56 Dia. 3.81 10.41 10.67 P–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS VDSS ID(cont) RDS(on) FEATURES 0.89 1.14 16.38 16.89 13.39 13.64 1 2 3 12.70 19.05 -100V -9.3A 0.31Ω Seme LAB |
IRFY9130CM POWER MOSFET THRU-HOLE PD - 91293B POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number IRFY9130C IRFY9130CM IRFY9130C,IRFY9130CM 100V, P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY ® R DS(on) 0.3 Ω 0.3 Ω ID -11.2A -11.2A Eyelets Ceramic Ceramic HEXFET® MOSFET technology International Rectifier |
AGR09130E Lateral MOSFET t Copy Only AGR09130E 130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET Introduction The AGR09130E is a high-voltage, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power transistor suitable for cellular band, code division multiple access (CDMA), global system TriQuint Semiconductor |
AM27PS19130B3A 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
AM27PS19130BJA 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
AM27PS19130BKA 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
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