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IRFW710S データシート PDF

この部品の機能は「Power Mosfet ( Transistor )」です。


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部品番号
IRFW710S

Power MOSFET ( Transistor )


$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRFW710S FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Low


Fairchild Semiconductor
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文字列「 IRFW710 」「 710S 」で始まる検索結果です。

部品説明

IRFW710A

Power MOSFET ( Transistor )

$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRFW/I710A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 400V ♦ Low RDS(ON): 2.815Ω (Typ.)

Fairchild Semiconductor
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IRFW710B

400V N-Channel MOSFET

IRFW710B / IRFI710B November 2001 IRFW710B / IRFI710B 400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially t

Fairchild Semiconductor
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07104GOA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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07104GOA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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07105GOA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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07105GOA

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

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