IRFW710S データシート PDFこの部品の機能は「Power Mosfet ( Transistor )」です。 |
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部品番号 |
IRFW710S Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRFW710S FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Low Fairchild Semiconductor |
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部品説明 |
IRFW710A Power MOSFET ( Transistor ) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 IRFW/I710A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 400V ♦ Low RDS(ON): 2.815Ω (Typ.) Fairchild Semiconductor |
IRFW710B 400V N-Channel MOSFET IRFW710B / IRFI710B November 2001 IRFW710B / IRFI710B 400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially t Fairchild Semiconductor |
07104GOA SILICON CONTROLLED RECTIFIER Microsemi Corporation |
07104GOA SILICON CONTROLLED RECTIFIER Microsemi Corporation |
07105GOA SILICON CONTROLLED RECTIFIER Microsemi Corporation |
07105GOA SILICON CONTROLLED RECTIFIER Microsemi Corporation |
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