Datasheet IRFSZ14A Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IRFSZ14A	Power MOSFET ( Transistor ) Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175¡É Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.097 Ω (Typ.) Absolute Maximum Ratings	Fairchild Semiconductor

IRFSZ Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IRFSZ44	N-Channel Power MOSFET / Transistor	Samsung
IRFSZ40	N-Channel Power MOSFET / Transistor	Samsung
IRFSZ34A	Power MOSFET ( Transistor ) )($785(6 Qýýý$YDODQFKHýý5XJJHGýý7HFKQRORJ Qýýý5XJJHGýýDWHýý2[LGHýý7HFKQRORJý Qýýý/RZHUýý,QSXWýý&DSDFLWDQFH Qýýý,PSURYHGýýDWHýý&KDUJH Qýýý([WHQGHGýý6DIHýý2SHUDWLQJýý$UHD Qýýýìæèýý2SHUDWLQJýý7HPSHUDWXUH Q	Samsung

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nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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