IRFNJ9130 データシート PDFこの部品の機能は「P-channel Power Mosfet」です。 |
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部品番号 |
IRFNJ9130 P-CHANNEL POWER MOSFET www.Datasheet.jp IRFNJ9130 IRF9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) min. 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) 0.127 (0.005) 3.175 (0.125) Max. P–CHANNEL POWER M Seme LAB |
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部品説明 |
IRFNJ9130SMD05 P-CHANNEL POWER MOSFET IRFNJ9130 IRF9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) min. 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) 0.127 (0.005) 3.175 (0.125) Max. P–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS VDSS ID(cont) RDS(on) FEATURES 3.05 (0.120) 1 Seme LAB |
AGR09130E Lateral MOSFET t Copy Only AGR09130E 130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET Introduction The AGR09130E is a high-voltage, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power transistor suitable for cellular band, code division multiple access (CDMA), global system TriQuint Semiconductor |
AM27PS19130B3A 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
AM27PS19130BJA 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
AM27PS19130BKA 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
AM27PS19130BUA 16/384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM Advanced Micro Devices |
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