IRFH5015PBF データシート PDFこの部品の機能は「Hexfet Power Mosfet」です。 |
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部品番号 |
IRFH5015PBF HEXFET Power MOSFET PD - 97446 www.Datasheet.jp IRFH5015PbF HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max (@VGS = 10V) 150 31 33 1.7 56 V mΩ nC Ω A PQFN 5X6 mm Qg (typical) RG (typical) ID (@Tc(Bottom) = 25°C) Appl International Rectifier |
IRFH5015PBF HEXFET Power MOSFET International Rectifier |
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部品説明 |
1N5015A (1N5008A - 1N5042A) DIODE Free Datasheet http:/// New Jersey Semi-Conductor |
2N5015 0.5AMP HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 450 VOLTS ETC |
2N5015 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 2N5015 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) dia. VCEO = 1000 Seme LAB |
2N5015 Trans GP BJT NPN 1KV 0.5A 3-Pin TO-39 New Jersey Semiconductor |
2SC5015 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5015 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Small Package • High Gain Bandwidth Product (fT = 12 GHz TYP.) • Low Noise, High Gain • Low Voltage Operation PACKAGE DIMENSIONS NEC |
2SC5015 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR DATA SHEET NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 4-PIN SUPER MINIMOLD (18) NE68518 / 2SC5015 NPN SILICON RF TRANSISTOR FEATURES • High fT: fT = 12 GHz TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz • Low voltage operation • Low noise a CEL |
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