IRF634NLPBF データシート PDFこの部品の機能は「Hexfet Power Mosfet」です。 |
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部品番号 |
IRF634NLPBF HEXFET Power MOSFET PD - 95342 Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements l Lead-Free Descr International Rectifier |
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部品説明 |
IRF634 N-CHANNEL Power MOSFET IRF634 IRF634FP N-channel 250V - 0.38Ω - 8A TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay™ Power MOSFET General features Type IRF634 IRF634FP VDSS 250V 250V RDS(on) <0.45Ω <0.45Ω ID 8A 8A 33 22 ■ Extremely High dv/dt Capability 11 TO-220 TO-220FP ■ 100% Avalanche Tested t STMicroelectronics |
IRF634 Power MOSFET(Vdss=250V/ Rds(on)=0.45ohm/ Id=8.1A) International Rectifier |
IRF634 Advanced Power MOSFET $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 250V ♦ Lower RDS(ON): 0.327Ω (Typ.) 1 2 3 IRF Fairchild Semiconductor |
IRF634 Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 New Jersey Semiconductor |
IRF634 Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET IRF634, SiHF634 Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 250 VGS = 10 V 41 6.5 22 Single 0.45 D TO-220AB G S D G S N-Channel MOSFET ORDERING INFORMATION Package Lead (Pb)-free SnPb FEATURES • Vishay |
IRF634 N-CHANNEL MOSFET IRF634 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applica BLUE ROCKET ELECTRONICS |
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