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データシート IRF634A PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
3 IRF634A

Advanced Power MOSFET

FEATURES z Avalanche Rugged Technology z Rugged Gate Oxide Technology z Lower Input Capacitance z Extended Safe Operating Area z Lower Leakage Current:10µA (Max.)@VDS=250V z Lower RDS(ON): 0.327 Ω(

ART CHIP
ART CHIP
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2 IRF634A

Advanced Power MOSFET

     )($785(6 Qýýý$YDODQFKHýý5XJJHGýý7HFKQRORJ Qýýý5XJJHGýý*DWHýý2[LGHýý7HFKQRORJý Qýýý/RZHUýý,QSXWýý&DSDFLWDQFH Qýýý,PSURYHGýý*DWHýý&KDUJH

Samsung
Samsung
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1 IRF634A

Advanced Power MOSFET

$GYDQFHG 3RZHU 026)(7 FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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IRF634A 回路図、ピン配列、同等



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