IRF630S データシート PDFこの部品の機能は「Power Mosfet ( Transistor )」です。 |
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部品番号 |
IRF630S Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK New Jersey Semiconductor |
IRF630S Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET IRF630S, SiHF630S Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 200 VGS = 10 V 43 7.0 23 Single 0.40 D2PAK (TO-263) K DS G D Vishay |
IRF630S N-channel TrenchMOS transistor Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS™ transistor IRF630, IRF630S FEATURES • ’Trench’ technology • Low on-state resistance • Fast switching • Low thermal r NXP Semiconductors |
IRF630S N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET ® IRF630S N - CHANNEL 200V - 0.35Ω - 9A - D2PAK MESH OVERLAY ™ MOSFET TYPE IRF630S s s s s s s V DSS 200 V R DS(on) < 0.40 Ω ID 9 A TYPICAL RDS(on) = 0.35 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABIL STMicroelectronics |
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