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IRF630FP データシート PDF

この部品の機能は「N-channel Mosfet」です。


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部品番号
IRF630FP

N-CHANNEL MOSFET


IRF630 IRF630FP N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET General features Type IRF630 IRF630FP VDSS 200V 200V RDS(on) <0.40Ω <0.40Ω ■ Extremely high dv/


STMicroelectronics
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文字列「 IRF630 」「 630FP 」で始まる検索結果です。

部品説明

IRF630

200V/9A POWER MOSFET

200V/9A POWER MOSFET (N-Channel) IRF630/IRFS630 200V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description • IRF630/IRFS630 are N-Channel enhancement mode power MOSFETs with advanced technology. These power MOSFETs are designed for low voltage, high speed power switching applications

TAITRON
TAITRON

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IRF630

N-channel TrenchMOS transistor

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS™ transistor IRF630, IRF630S FEATURES • ’Trench’ technology • Low on-state resistance • Fast switching • Low thermal resistance SYMBOL d QUICK REFERENCE DATA VDSS = 200 V ID = 9 A g RDS(ON) ≤ 4

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

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IRF630

N-CHANNEL MOSFET

IRF630 IRF630FP N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay™ II Power MOSFET General features Type IRF630 IRF630FP VDSS 200V 200V RDS(on) <0.40Ω <0.40Ω ■ Extremely high dv/dt capability ■ Very low intrinsic capacitances ■ Gate charge minimized ID

STMicroelectronics
STMicroelectronics

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IRF630

9A/ 200V/ 0.400 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs

IRF630, RF1S630SM Data Sheet June 1999 File Number 1578.2 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

Intersil Corporation
Intersil Corporation

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IRF630

HEXFET Power MOSFET ( Vdss=200V/ Id=9.0A )

International Rectifier
International Rectifier

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IRF630

9A, 200V, N-Channel Power MOSFET

Data Sheet IRF630, RF1S630SM January 2002 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

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