IRF614 データシート PDFこの部品の機能は「Power Mosfet」です。 |
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部品番号 |
IRF614 N-Channel Mosfet Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor ·FEATURES ·Low RDS(on) ·VGS Rated at ±20V ·Silicon Gate for Fast Switching Speed ·Rugged ·Low Drive Requirements isc Product Specificatio Inchange Semiconductor |
IRF614 power mosfet International Rectifier |
IRF614 Power MOSFET ( Transistor ) Power MOSFET IRF614, SiHF614 Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration 250 VGS = 10 V 8.2 1.8 4.5 Single 2.0 TO-220AB D S D G G S N Vishay |
IRF614 2.0A/ 250V/ 2.0 Ohm/ N-Channel Power MOSFET IRF614 January 1998 2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET Description This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor. It is an advanced power MOSFET designed, Intersil Corporation |
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