IRF530FI データシート PDFこの部品の機能は「N-channel Mosfet Transistor」です。 |
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部品番号 |
IRF530FI N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor isc Product Specification IRF530FI ·FEATURES ·Low RDS(on) ·VGS Rated at ±20V ·Silicon Gate for Fast Switching Speed ·Rugged ·Low Drive R Inchange Semiconductor |
IRF530FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR STMicroelectronics |
文字列「 IRF530 」「 530FI 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
IRF530 N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel Mosfet Transistor isc Product Specification IRF530 ·FEATURES ·Low RDS(on) ·VGS Rated at ±20V ·Silicon Gate for Fast Switching Speed ·Rugged ·Low Drive Requirements ·DESCRITION ·Designed especially for high voltage,high speed applic Inchange Semiconductor |
IRF530 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Motorola Inc |
IRF530 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IRF530 N-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 14A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID IRF530 100 V <0.16 Ω 14 A s TYPICAL RDS(on) = 0.115Ω s AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY s 100% AVALANCHE TESTED s LOW GATE CHARGE s HIGH CURRENT CAPABILITY 3 STMicroelectronics |
IRF530 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TRSYS |
IRF530 N-CHANNEL POWER MOSFETS Samsung semiconductor |
IRF530 HEXFET Power MOSFET ( Vdss=100V / Id=14A ) International Rectifier |
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