IRF223 データシート PDFこの部品の機能は「N-channel Power Mosfets」です。 |
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部品番号 |
IRF223 Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3 New Jersey Semiconductor |
IRF223 N-Channel Power MOSFETs Semiconductor October 1997 IRF220, IRF221, IRF222, IRF223 4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Features • 4.0A and 5.0A, 150V and 200V • rDS(ON) = 0.8Ω and 1. Harris |
IRF223 N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRF223 DESCRIPTION ·Drain Current ID=4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On Inchange Semiconductor |
IRF223 N-Channel Power MOSFETs/ 7A/ 150-200V Fairchild Semiconductor |
IRF223 4.0A and 5.0A/ 150V and 200V/ 0.8 and 1.2 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs Semiconductor IRF220, IRF221, IRF222, IRF223 4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect t Intersil Corporation |
IRF223 N-CHANNEL POWER MOSFETS Samsung semiconductor |
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