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IRF1404ZGPBF データシート PDF

この部品の機能は「Power Mosfet ( Transistor )」です。


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部品番号
IRF1404ZGPBF

Power MOSFET ( Transistor )


PD - 96236A IRF1404ZGPbF Features l l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 175°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free Hal


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文字列「 IRF1404 」「 1404ZGPBF 」で始まる検索結果です。

部品説明

IRF1404

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRF1404 FEATURES ·Drain Current –ID= 162A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.004Ω(Max) ·Fast Switching Description Seventh Ge

Inchange Semiconductor
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IRF1404

Power MOSFET ( Transistor )

l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Automotive Qualified (Q101) Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced

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IRF1404L

Power MOSFET(Vdss=40V/ Rds(on)=0.004ohm/ Id=162A)

PD -93853C HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description ® l l IRF1404S IRF1404L D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.004Ω ID = 162A† Seventh G

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IRF1404LPbF

Power MOSFET ( Transistor )

l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techni

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IRF1404PbF

HEXFET Power MOSFET

l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techn

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IRF1404S

Power MOSFET(Vdss=40V/ Rds(on)=0.004ohm/ Id=162A)

PD -93853C HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated Description ® l l IRF1404S IRF1404L D VDSS = 40V G S RDS(on) = 0.004Ω ID = 162A† Seventh G

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