|
|
Datasheet IPB091N06NG Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IPB091N06NG | Power-Transistor
IPB091N06N G
IPP091N06N G
OptiMOS® Power-Transistor
Features • Low gate charge for fast switching applications • N-channel enhancement - normal level • 175 °C operating temperature • Avalanche rated • Pb-free lead plating, RoHS compliant
Product Summary V DS R DS( |
 Infineon Technologies |
 |
IPB091N0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IPB091N06NG | Power-Transistor |
Infineon Technologies |
|
| Esta página es del resultado de búsqueda del IPB091N06NG. Si pulsa el resultado de búsqueda de IPB091N06NG se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Enlace url :
[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |