IHW20N120R2 データシート PDFこの部品の機能は「Reverse Conducting Igbt」です。 |
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部品番号 |
IHW20N120R2 Reverse Conducting IGBT IHW20N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages Infineon Technologies |
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部品説明 |
PXAC201202FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET PXAC201202FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz Description The PXAC201202FC is a 120-watt LDMOS FET for use in multistandard cellular power amplifier applications in the 1800 to 2200 MHz frequency band. Its asymmetric and dual-path design Infineon |
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