IGW30N60TP データシート PDFこの部品の機能は「Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
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部品番号 |
IGW30N60TP IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) IGBT TRENCHSTOPTMPerformancetechnology IGW30N60TP 600VIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries Datasheet IndustrialPowerControl IGW30N60TP TRENCHSTOPTMPerformanceSeries HighspeedIGBTinTrench Infineon |
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部品説明 |
IGW30N60H3 IGBT ! " # Free Datasheet http:/// ' %& ' ( )* ,'& , &! , +.+ , " 0" " 1 ,6 + , *8/+ , " :;; < + ! ++ / " 2345' 7& &' + 9% ( " " *( ! < "; 8 ; - & : , , , 8 + 6 !"#$% ()* + ,* * . (* , * & '" % &( / 0 * $ Free Datasheet http:/// 1 2'!# 3 Infineon |
IGW30N60T IGBT IGW30N60T TRENCHSTOP™ Series Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology Features: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175°C Short circuit withstand time 5s Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Po Infineon |
0230600L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230600L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
1SCA022770R3060 neutral and earth terminals
ABB |
2SB183060MA LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB183060MA 2SB183060MA SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SB183060MA is a schottky barrier diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Low power losses, high efficiency; High ESD capability; High surge capability; Guard ring constructi Silan |
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