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HY510N データシート PDF 検索

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1 HY510N

PC POWER SUPPLY SUPERVISOR

¯E¶§¦³--¤½¥q ` HY510N PC POWER SUPPLY SUPERVISOR Data Sheet REV. 1.30 September 21, 2004 The information in this document is subject to change without notice. ¥x¥_¥«¤j¦w°Ïª×Às

HawYang
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HY5 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
HY534256ALS

256K x 4-bit CMOS DRAM

Hynix Semiconductor
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HY5N50FT

500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HY5N50T / HY5N50FT 500V / 5A N-Channel Enhancement Mode MOSFET 500V, RDS(ON)=1.5W@VGS=10V, ID=2.5A Features • Low On-State Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge & Low CRSS • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for AC Adapte

HY ELECTRONIC
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HY57V28820HCT

4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM

HY57V28820HC(L)T 4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM 0.1 : Hynix Change 0.2 : Burst read single write mode correction Rev. 0.2 / Aug. 2001 1 HY57V28820HC(L)T 4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM DESCRIPTION The Hynix HY57V28820HC(L)T is a 134,217,728bit CMOS Synchronous DRA

Hynix Semiconductor
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HY5S5B6GLF-S

256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory

256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O Specification of 256M (16Mx16bit) Mobile SDRAM Memory Cell Array - Organized as 4banks of 4,194,304 x16 This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any respo

Hynix Semiconductor
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