Datasheet HUF75623S3ST Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	HUF75623S3ST	22A/ 100V/ 0.064 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFETs HUF75623P3, HUF75623S3ST Data Sheet December 2001 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB SOURCE DRAIN GATE JEDEC TO-263AB DRAIN (FLANGE) Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated	Fairchild Semiconductor

HUF75623S Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
HUF75623S3ST	22A/ 100V/ 0.064 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFETs HUF75623P3, HUF75623S3ST Data Sheet December 2001 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB SOURCE DRAIN GATE JEDEC TO-263AB DRAIN (FLANGE) Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Tem	Fairchild Semiconductor
HUF75623S3	22A/ 100V/ 0.064 Ohm/ N-Channel/ UltraFET Power MOSFETs HUF75623P3, HUF75623S3ST Data Sheet December 2001 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB SOURCE DRAIN GATE JEDEC TO-263AB DRAIN (FLANGE) Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Tem	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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