HPI307R2 データシート PDFこの部品の機能は「Pin Photo Diodes」です。 |
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部品番号 |
HPI307R2 PIN PHOTO DIODES PINフォトダイオード PIN PHOTODIODES HPI307R2 HPI307R2は、可視光カットフィルターモールドタイプの高速応答、高出力のシリコンPIN形フォトダイオードで� KODENSHI |
文字列「 HPI307R2 」「 307R2 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
2N3072 Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4. Central |
2N3072 Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0 Central |
2N3072 Trans GP BJT NPN 60V 3-Pin TO-18 Box New Jersey Semiconductor |
2SC3072 Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC3072 Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications 2SC3072 Unit: mm · High DC current gain : hFE = 140 to 450 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE = 70 (min) (VCE = 2 V, IC = 4 A) · Low collector saturati Toshiba Semiconductor |
2SC3072 Silicon NPN Epitaxial SMD Type Silicon NPN Epitaxial 2SC3072 TO-252 Transistors Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features High DC current gain. Low collector saturation voltage. +0.2 9.70 -0.2 +0.15 1.50 -0.15 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 High power dissipation. +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.5 Kexin |
2SK3072 Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number : ENN7224 2SK3072 N-Channel Silicon MOSFET 2SK3072 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions unit : mm 2091A [2SK3072] 0.5 0.4 0.16 0 to 0.1 Ultrahigh-speed switching. Low-voltage drive. 3 1 0.95 0.95 2 1.9 2.9 0.5 1.5 2.5 Sanyo Semicon Device |
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