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HMN2568D データシート PDF

この部品の機能は「Non-volatile Sram Module 2mbit」です。


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部品番号
HMN2568D

Non-Volatile SRAM MODULE 2Mbit


www.Datasheet.jp HANBit HMN2568D Non-Volatile SRAM MODULE 2Mbit (256K x 8-Bit), 32Pin-DIP, 5V Part No. HMN2568D GENERAL DESCRIPTION The HMN2568D Nonvolatile SRAM is a 2,097,152-bit static RAM or


Hanbit Electronics
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文字列「 HMN2568 」「 2568D 」で始まる検索結果です。

部品説明

2SD2568

Power Transistor (400V/ 0.5A)

2SD2568 Transistors Power Transistor (400V, 0.5A) 2SD2568 zFeatures 1) High breakdown voltage.(BVCEO=400V) zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Limits 400 400 7 0.5 10 150 −55 to +150 Unit V V V A W(Tc=25°C) °C °C Collector-ba

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

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2SK2568

Silicon N-Channel MOS FET

2SK2568 Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Application High speed power switching Features • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline TO-3P D G 1 2 3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. S

Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

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2SK2568

Silicon N Channel MOS FET

2SK2568 Silicon N Channel MOS FET REJ03G1017-0300 (Previous: ADE-208-1363) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outlin

Renesas
Renesas

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AS4C4256883C

256K x 4 DRAM

w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c

Austin Semiconductor
Austin Semiconductor

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AS5C2568

32K x 8 SRAM

32K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS •SMD 5962-88662 •SMD 5962-88552 •MIL-STD-883 FEATURES • Access Times: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55, 70, & 100ns • Battery Backup: 2V data retention • Low power standby • High-performance, low-power CM

Micross
Micross

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AS5C2568

32K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY

SRAM Austin Semiconductor, Inc. 32K x 8 SRAM SRAM MEMORY ARRAY FEATURES • • • • • • • • • Access Times: 12, 15, & 20ns Fast output enable (tDOE) for cache applications Low active power: 400 mW (TYP) Low power standby Fully static operation, no clock or refresh r

Austin Semiconductor
Austin Semiconductor

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