Datasheet HFU1N65 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2	HFU1N65	N-Channel MOSFET HFD1N65 / HFU1N65 April 2006 HFD1N65 / HFU1N65 650V N-Channel MOSFET BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 10.5 Ω ID = 0.8 A FEATURES  Originative New Design  Superior Avalanche Rugged Technology  Robust Gate Oxide Technology  Very Low Intrinsic Capacitances  Excellent Switching Character	SemiHow
1	HFU1N65S	N-Channel MOSFET HFD1N65S / HFU1N65S HFD1N65S / HFU1N65S 650V N-Channel MOSFET FEATURES  Originative New Design  Superior Avalanche Rugged Technology  Robust Gate Oxide Technology  Very Low Intrinsic Capacitances  Excellent Switching Characteristics  Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.)  Exte	SemiHow

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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