Datasheet HF158F Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	HF158F	MINIATURE HIGH POWER RELAY :8.018 =;>;3CDA7 :;9: @?F7A A7<3H y@C< +Feqxhjklhn 6E7 y@C< +Feqkggjiojj 8MJWXUMV igt JN@K:?@E> :8G89@C@KP ~FN ?<@>?Kq hlen DD lB3 ;@K? `9< ;@JK8E:	Hongfa Technology

HF1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
HF105F-4	MINIATURE HIGH POWER RELAY :8/.18-0 c+29fjin\|fmd >;?;3DEB7 :;9: A@G7B B7=3H 8MJYZWMX \|CF? /Igs{jlmnjp ] liw MQCN=BCHA =;J;C?F?=NLC= MNL?HANB c =IHN;=NMd ] ~?;PS FI;> OJ NI pekii7w ] yF;MM \| CHMOF;NCIH ;P;CF;FS JLI>O=N c3I~4 =IGJFC;HNd ] 0ONFCH? z	Hongfa Technology
HF152F	SUBMINIATURE HIGH POWER RELAY 20 \|~} 0 ;=,5363+<=:/ 2312 87?/: :/4+@ 0EBOPMEN V V V V V V V V V V 64@ koal[`af_ [YhYZadalq RT1< 569T@B Qmj_] ngdlY_] mh lg :cT .Z]lo]]f [gad Yf [gflY[lk/ R`]jeYd [dYkk E> klYfYj lqh] .Yl <9 / @eZa]fl l]eh]jYlmj] e]]lk 549 Njgm[l af Y[[gjYf[] lg HDB :477915 5 Egje B - 5 Egje @	Hongfa Technology
HF10N60	N-Channel MOSFET HF10N60 N-Channel MOSFET Features ■ ■ ■ ■ ■ RDS(on) (Max 0.85 Ω )@VGS=10V Gate Charge (Typical 28nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150°C) Symbol ● 2. Drain ◀ 1. Gate ▲ ● ● 3. Sour	ETC

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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