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1 HD50N06

60V N-Channel MOSFET

HD50N06_HU50N06 Nov 2009 HD50N06 / HU50N06 60V N-Channel MOSFET BVDSS = 60 V RDS(on) = 22 mΩ ID = 50 A FEATURES  Originative New Design  Superior Avalanche Rugged Technology  Robust Gate

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HD50 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
HD50N06

60V N-Channel MOSFET

HD50N06_HU50N06 Nov 2009 HD50N06 / HU50N06 60V N-Channel MOSFET BVDSS = 60 V RDS(on) = 22 mΩ ID = 50 A FEATURES  Originative New Design  Superior Avalanche Rugged Technology  Robust Gate Oxide Technology  Very Low Intrinsic Capacitances  Excellent Switching Ch

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