H5784-02 データシート PDFこの部品の機能は「Photosensor Modules」です。 |
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部品番号 |
H5784-02 Photosensor Modules Hamamatsu Corporation |
文字列「 H578402 」「 5784 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
1N5784 (1N5779 - 1N5793) PNPN 4 Layer Diodes www.datasheet.jp
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2N5784 SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N5784 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 8.89 (0.35) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 4.19 (0.165) 4.95 (0.195) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) dia. FEATURES General purpose power transistor for sw Seme LAB |
2N5784 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR 2N5781 PNP 2N5784 NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS w w w. c e n t r a l s e m i . c o m DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5781 and 2N5784 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKIN Central Semiconductor |
2N5784 Silicon NPN & PNP Transistor RCA |
2N5784 Trans GP BJT NPN 65V 3.5A 3-Pin TO-39 Box New Jersey Semiconductor |
2SC5784 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5784 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5784 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications • • • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching: Toshiba Semiconductor |
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