H2717 データシート PDFこの部品の機能は「NPN SilICon Transistor」です。 |
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部品番号 |
H2717 NPN SILICON TRANSISTOR N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H2717 █ APPLICATIONS TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) T st SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
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部品説明 |
2SC2717 Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor 2SC2216,2SC2717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2216,2SC2717 TV Final Picture IF Amplifier Applications Unit: mm · High gain: Gpe = 33dB (typ.) (f = 45 MHz) · Good linearity of hFE. Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics 2SC2216 Collector-bas Toshiba Semiconductor |
2SC2717 NPN Plastic-Encapsulated Transistor 2SC2717 Elektronische Bauelemente 0.05A , 30V NPN Plastic-Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 G H High Gain:Gpe=33 dB(Typ.)(f =45MHz) Good Linearity of hFE J A B K D Base Emitter � SeCoS |
2SC2717 NPN Transistor 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 2SC2717(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 Features High Gain: Gpe =33 dB ( Typ. ) ( f =45MHZ) Good Linearity of hFE. MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO LGE |
2SC2717 Silicon NPN transistor 2SC2717 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. 特征 / Features 增益高,hFE 线性好。 High gain, good linearity of hFE. 用途 / Applications 用于电视末级图� BLUE ROCKET ELECTRONICS |
2SC2717M Silicon NPN transistor 2SC2717M Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET 描述 / Descriptions SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features 增益高,hFE 线性好。 High gain, good linearity of hFE. 用途 / Applications 用于电视末� BLUE ROCKET ELECTRONICS |
2SK2717 Silicon N Channel MOS Type Field Effect Transistor 2SK2717 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 2SK2717 DC−DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm l Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 2.3 Ω (typ.) l High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.4 S (typ.) l Low lea Toshiba Semiconductor |
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