GT80J101B データシート PDFこの部品の機能は「Insulated Gate Bipolar Transistor」です。 |
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部品番号 |
GT80J101B Insulated Gate Bipolar Transistor GT80J101B TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT80J101B High Power Switching Applications • • • Enhancement mode type High speed: tf = 0.40 µs (max) (I C = 80 A) L Toshiba Semiconductor |
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部品説明 |
GT80J101 N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) Toshiba Semiconductor |
GT80J101A Insulated Gate Bipolar Transistor GT80J101A TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT80J101A High Power Switching Applications Unit: mm Enhancement-Mode High Speed: tf = 0.40 µs (max) (IC = 80 A) Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 3.0 V (max) (IC = 80 A) · · · Maximum Ratings (Ta Toshiba Semiconductor |
5962R9580101VXC Logic Gate REVISIONS A B Changes in accordance with NOR 5962-R124-98 - thl. Update boilerplate to MIL-PRF-38535 requirements. Editorial changes throughout. – jak 98-06-12 04-05-07 Raymond L. Monnin Thomas M. Hess DataShee datasheet.jpom REV SHEET REV SHEET REV STA Intersil |
DSM80101M NPN TRANSISTOR ADVANCE INFORMATION DSM80101M NPN TRANSISTOR WITH DUAL SERIES SWITCHING DIODE Features Integrates one NPN Transistor (Q1) and two Switching Diodes (D1, D2) in a Single Compact Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Diodes |
HC080101C-VA Character LCD module
HTDisplay |
HC080101C-VA LCD module
HTDisplay |
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