GT60M302 データシート PDFこの部品の機能は「N Channel Mos Type (high Power Switching ApplICations)」です。 |
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部品番号 |
GT60M302 N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) Toshiba Semiconductor |
文字列「 GT60M302 」「 60M302 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
PTAC260302FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET PTAC260302FC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 30 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz Description The PTAC260302FC is a 30-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to 2690 MHz frequency band. This device integrates a 10 Infineon |
PTAC260302SC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET PTAC260302SC Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 30 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz Description The PTAC260302SC is a 30-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to 2690 MHz frequency band. This device integrates a 1 Infineon |
TPS60302 TPS6030x Single-Cell to 3-V or 3.3-V 20-mA Dual Output High-Efficiency Charge Pump (Rev. B) Texas Instruments |
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