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GP-12B データシート PDF

この部品の機能は「Triggered Spark Gaps」です。


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部品番号
GP-12B

Triggered Spark Gaps


Triggered Spark Gaps EVERYTHING IN A NEW LIGHT. P erkinElmer’s Triggered Ceramic-Metal Spark Gaps are a family of versatile high voltage switches. They consist of three electrodes in a hermetic


PerkinElmer Optoelectronics
PerkinElmer Optoelectronics

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文字列「 GP12 」「 GP-1 」で始まる検索結果です。

部品説明

GP120

PPTC Thermistors

GPxxx Series PPTC Thermistors (PPTC Resettable Fuses) Shenzhen Goodpoly Electron Co., Ltd. ¡÷ ¡÷ ¡÷ Radial leaded devices Very high voltage surge capabilities Available in lead-free version ¡÷ Agency Recognition: UL¡¢ TUV Electrical Characteristics Model GP070 GP1

Goodpoly
Goodpoly

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GP1200

(GP1xxx) High Voltage Diode Rectifiers

DIOTEC ELECTRONICS CORP. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA 90248 U.S.A Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958 a D . VOIDw FREE VACUUM DIE SOLDERING FOR MAXIMUM MECHANICAL STRENGTH AND HEAT DISSIPATION w (Solder Voids: Typical < 2%, Max. < 10% of Die Area) w LOW FORWARD VO

Diotec Electronics
Diotec Electronics

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GP1200ESM33

High Reliability Single Switch IGBT Module Advance Information

GP1200ESM33 GP1200ESM33 High Reliability Single Switch IGBT Module Advance Information Replaces July 2000 version, DS5308-1.6 DS5308-2.1 February 2001 FEATURES s s s High Thermal Cycling Capability Non Punch Through Silicon Isolated MMC Base with AlN Substrates KEY PARAMETERS

Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor

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GP1200FSM18

Hi-Reliability Single Switch IGBT Module

GP1200FSM18 GP1200FSM18 Hi-Reliability Single Switch IGBT Module DS5410-1.2 January 2001 FEATURES s s s s High Thermal Cycling Capability Non Punch Through Silicon Isolated MMC Base with AlN Substrates 1200A Per Module KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(PK)

Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor

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GP1200FSS18

Single Switch IGBT Module

GP1200FSS18 GP1200FSS18 Single Switch IGBT Module Replaces February 2000 version, DS5260-2.0 DS5260-3.1 January 2001 FEATURES s s s s Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction 1200A Per Module KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (

Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor

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GP1201FSS18

Single Switch Low V IGBT Module

GP1201FSS18 GP1201FSS18 Single Switch Low VCE(SAT) IGBT Module DS5411-1.1 January 2001 FEATURES s s s s s Low VCE(SAT) Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction 1200A Per Module KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) I

Dynex Semiconductor
Dynex Semiconductor

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