GD1SS356 データシート PDFこの部品の機能は「Switching Diode」です。 |
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部品番号 |
GD1SS356 SWITCHING DIODE www.Datasheet.jp ISSUED DATE :2006/01/23 REVISED DATE : GD1SS356 Description S U R F A C E M O U N T, B A N D S W I T C H I N G D I O D E V O LT A G E 3 5 V, C U R R E N T 0 . 1 A The GD1SS356 i GTM |
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部品説明 |
1N1356 Zener Diode Solid State |
1N1356 Diode Zener Single 16V 10% 10W 2-Pin DO-4 New Jersey Semiconductor |
1N1356A Diode Zener Single 16V 5% 10W 2-Pin DO-4 New Jersey Semiconductor |
1SS356 Band switching diode 1SS356 Diodes Band switching diode 1SS356 !Applications High frequency switching !External dimensions (Units : mm) CATHODE MARK !Construction Silicon epitaxial planar 1.25±0.1 2.5±0.2 1.7±0.1 !Features 1) Small surface mounting type. (UMD2) 2) High reliability. 0.1 0.1+ ROHM Semiconductor |
2SA1356 Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1356 Audio Power Amplifier Applications 2SA1356 Unit: mm • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.32 V (typ.) (IC = −500 mA, IB = −50 mA) • High collector power dissipation: PC = 1.2 W (Ta = 25°C) • Com Toshiba Semiconductor |
2SK1356 N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1356 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Fast Switching Speed APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUT Inchange Semiconductor |
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