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IRGB6B60KD

www.Datasheet.jp PD - 94381E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C IRGB6B60KD IRGS6B60KD IRGSL6B60KD VCES = 600V IC = 7.0A, TC=100°C Features • Low VCE (on)

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GB6B6 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
GB6B60KD

IRGB6B60KD

PD - 94381E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C IRGB6B60KD IRGS6B60KD IRGSL6B60KD VCES = 600V IC = 7.0A, TC=100°C Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Cap

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