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GA5212 データシート PDF 検索

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 GA5212

Control IC

无锡思扬微电子科技有限公司 多士炉系列控制 IC 数据手册 GA5212 芯片规格书(Ver 1.3) — 介绍 概述 — — 特点 — — — — GA5212 采用 CMOS 工艺制造,是专

Siyom
Siyom
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GA5 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
GA50JT17-CAL

Junction Transistor

Die Datasheet GA50JT17-CAL Normally – OFF Silicon Carbide Junction Transistor Features  210 °C Maximum Operating Temperature  Gate Oxide Free SiC Switch  Exceptional Safe Operating Area  Excellent Gain Linearity  Temperature Independent Switching Performance

GeneSiC
GeneSiC
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GA50JT12-CAL

Junction Transistor

Die Datasheet GA50JT12-CAL Normally – OFF Silicon Carbide Junction Transistor Features  210 °C Maximum Operating Temperature  Gate Oxide Free SiC Switch  Exceptional Safe Operating Area  Excellent Gain Linearity  Temperature Independent Switching Performance

GeneSiC
GeneSiC
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GA50JT06-CAL

OFF Silicon Carbide Junction Transistor

Die Datasheet GA50JT06-CAL Normally – OFF Silicon Carbide Junction Transistor Features • 210°C maximum operating temperature • Gate Oxide Free SiC switch • Exceptional Safe Operating Area • Excellent Gain Linearity • Temperature Independent Switching Performance

GeneSiC
GeneSiC
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GA500TD60U

HALF-BRIDGE IGBT DUAL INT-A-PAK

PD - 50048D GA500TD60U "HALF-BRIDGE" IGBT DUAL INT-A-PAK Features • Generation 4 IGBT technology • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Very low conduction and switching losses •

International Rectifier
International Rectifier
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