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1 G4BC20UD

IRG4BC20UD

PD 91449B IRG4BC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 www.DataShe

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G4BC20 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
G4BC20U

IRG4BC20U

PD - 91448D INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRG4BC20U UltraFast Speed IGBT Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher e

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G4BC20F

IRG4BC20F

PD - 91602A IRG4BC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher effi

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G4BC20UD

IRG4BC20UD

PD 91449B IRG4BC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter para

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G4BC20FD

IRG4BC20FD

PD 91601A IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter para

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G4BC20UD 回路図、ピン配列、同等



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