G4BC20KD データシート PDF 検索

番号	部品番号	部品説明	メーカ	PDF
1	G4BC20KD	IRG4BC20KD www.Datasheet.jp PD -91599A IRG4BC20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5	International Rectifier

G4BC2 データシート - 検索結果

部品番号	部品説明	メーカ	PDF
G4BC20U	IRG4BC20U PD - 91448D INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRG4BC20U UltraFast Speed IGBT Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher e	International Rectifier
G4BC20F	IRG4BC20F PD - 91602A IRG4BC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher effi	International Rectifier
G4BC20UD	IRG4BC20UD PD 91449B IRG4BC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter para	International Rectifier
G4BC20FD	IRG4BC20FD PD 91601A IRG4BC20FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter para	International Rectifier

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