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番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 FQA11N40

400V N-Channel MOSFET

   QFET   $ $ $ $ $ $ %% &'())*+,) (&Ω-*,%)* .   / 01 2 ./ 0)2     %))3 !  4 !!5  "                                   

Fairchild Semiconductor
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FQA11 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
FQA11N90_F109

N-Channel QFET MOSFET

FQA11N90_F109 — N-Channel QFET® MOSFET FQA11N90_F109 N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 mΩ Features • 11.4 A, 900 V, RDS(on) = 960 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.7 A • Low Gate Charge (Typ. 72 nC) • Low Crss (Typ. 30 pF) • 100% Avalanche Tested • RoHS comp

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FQA11N40

400V N-Channel MOSFET

   QFET   $ $ $ $ $ $ %% &'())*+,) (&Ω-*,%)* .   / 01 2 ./ 0)2     %))3 !  4 !!5  "          

Fairchild Semiconductor
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FQA11N90C_F109

MOSFET

FQA11N90C_F109 — N-Channel QFET® MOSFET FQA11N90C_F109 N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.0 A, 1.1 Ω Features • 11 A, 900 V, RDS(on) = 1.1 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.5 A • Low Gate Charge (Typ. 60 nC) • Low Crss (Typ. 23 pF) • 100% Avalanche Tested • RoHS compli

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FQA11N90

900V N-Channel MOSFET

FQA11N90 September 2000 QFET FQA11N90 900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to

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