Datasheet FDS8840NZ Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDS8840NZ	N-Channel MOSFET FDS8840NZ N-Channel Power Trench® MOSFET April 2009 FDS8840NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 18.6 A, 4.5 mΩ Features Max rDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18.6 A Max rDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14.9 A HBM ESD protection level of 6 kV typical(note 3) High perfo	Fairchild Semiconductor

FDS884 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDS8840NZ	N-Channel MOSFET FDS8840NZ N-Channel Power Trench® MOSFET April 2009 FDS8840NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 18.6 A, 4.5 mΩ Features Max rDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18.6 A Max rDS(on) = 6.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14.9 A HBM ESD protection level of 6 kV typical(n	Fairchild Semiconductor
FDS8842NZ	N-Channel MOSFET FDS8842NZ N-Channel Power Trench® MOSFET February 2009 FDS8842NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14.9 A, 7.0 mΩ Features Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.9 A Max rDS(on) = 11.6 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.6 A HBM ESD protection level of 4.4 kV typ	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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