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データシート FDP2570 PDF ( Circuit Data )

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1 FDP2570

150V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP2570/FDB2570 August 2001 FDP2570/FDB2570 150V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically for switching on the primary side in the iso

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部品番号 部品説明 メーカ PDF
FDP6644

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP6644/FDB6644 June 2001 FDP6644/FDB6644 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These

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FDP13AN06A

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V/ 62A/ 13.5m

FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 July 2003 FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5mΩ Features • r DS(ON) = 11.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 62A • Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Sin

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FDP20AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET

FDB20AN06A0 / FDP20AN06A0 June 2003 FDB20AN06A0 / FDP20AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20mΩ Features • r DS(ON) = 17mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A • Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single

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FDPC8012S

MOSFET

FDPC8012S PowerTrench® Power Clip October 2014 FDPC8012S PowerTrench® Power Clip 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features Q1: N-Channel „ Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 12 A Q2: N-Channel „ Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 23 A „ Low inductance

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FDP8443

N-Channel MOSFET

FDP8443 N-Channel PowerTrench® MOSFET August 2007 FDP8443 ® N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 80A, 3.5mΩ Features „ Typ rDS(on) = 2.7mΩ at VGS = 10V, ID = 80A „ Typ Qg(10) = 142nC at VGS = 10V „ Low Miller Charge „ Low Qrr Body Diode „ UIS Capability (Single Pulse and

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FDP3205

N-Channel PowerTrench MOSFET

FDP3205 N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2008 FDP3205 Features N-Channel PowerTrench® MOSFET 55V, 100A, 7.5mΩ Description • This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the

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FDP2570 回路図、ピン配列、同等



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