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データシート FCH30A10 PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
1 FCH30A10

Schottky Barrier Diode

www.Datasheet.jp SBD T y p e : FCH30 FCH30A 30A10 OUTLINE DRAWING FEATURES *TO-220AB Case *Fully Molded *Dual Diodes – Cathode Common *Low Forward Voltage Drop *High Surge Capability *Tj=150

Nihon Inter Electronics
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FCH データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
FCH08A06

Schottky Barrier Diode

www.datasheet.jp SBD T y p e : FCH08A06 FCH08A06 OUTLINE DRAWING FEATURES FEATURES *Similar to TO-220AB Case *Fully Molded Isolation *Dual Diodes – Cathode Common *Low Forward Voltage Drop *Low Power Loss,High Efficiency *High Surge Capability *Tj=150 °C operation Maxi

Nihon Inter Electronics
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FCH20B04

Schottky Barrier Diode

Nihon Inter Electronics Corporation
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FCH47N60NF

MOSFET

FCH47N60NF — N-Channel SupreMOS® FRFET® MOSFET FCH47N60NF N-Channel SupreMOS® FRFET® MOSFET 600 V, 45.8 A, 65 mΩ November 2013 Features • 650 V @ TJ = 150oC • Typ. RDS(on) = 57.5 mΩ • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 240 nC) • Low Effective Output Capacitance (

Fairchild Semiconductor
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FCH20B03

Schottky Barrier Diode

Nihon Inter Electronics Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation
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FCH170N60

MOSFET

FCH170N60 — N-Channel SuperFET® II MOSFET FCH170N60 N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 22 A, 170 m July 2014 Features • 650 V @TJ = 150°C • Typ. RDS(on) = 150 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 42 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.

Fairchild Semiconductor
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FCH150N65F

MOSFET

FCH150N65F — N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET FCH150N65F N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET 650 V, 24 A, 150 mΩ December 2014 Features • 700 V @ TJ = 150°C • Typ. RDS(on) = 133 mΩ • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 72 nC) • Low Effective Output Capacitan

Fairchild Semiconductor
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FCH30A10 回路図、ピン配列、同等



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