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1 F12N10L

N-Channel Logic Level Power MOSFET

Data Sheet RFP12N10L October 2013 N-Channel Logic Level Power MOSFET 100 V, 12 A, 200 mΩ These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors specifically designed for

Fairchild Semiconductor
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F12N データシート - 検索結果

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F12N65

PJF12N65

PJP12N65 / PJF12N65 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • 12A , 650V, RDS(ON)=0.8Ω@VGS=10V, ID=6.0A TO-220AB / ITO-220AB TO-220AB • Low ON Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially De

Pan Jit International
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F12N100

SDF12N100

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Solitron Devices
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F12NM50N

N-channel Power MOSFET

STB12NM50N,STD12NM50N,STI12NM50N STF12NM50N, STP12NM50N N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP Features Type VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID STB12NM50N t(s)STD12NM50N cSTI12NM50N uSTF12NM50N rodSTP12NM50N 550 V 550 V

STMicroelectronics
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F12N60C

FQPF12N60C

FQP12N60C / FQPF12N60C 600V N-Channel MOSFET September 2007 QFET FQP12N60C / FQPF12N60C 600V N-Channel MOSFET Features • • • • • • • 12A, 600V, RDS(on) = 0.65Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 48 nC) Low Crss ( typical 21pF) Fast switching 100% avalanche te

Fairchild Semiconductor
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