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データシート F10P40F PDF ( Circuit Data )

番号 部品番号 部品説明 メーカ PDF
2 F10P40F

10 Ampere Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers

F10P20F thru F10P60F ® Pb Free Plating Product F10P20F thru F10P60F Pb 10 Ampere Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Half Bridge Rectifiers Features Latest GPP technology with super fast re

Thinki Semiconductor
Thinki Semiconductor
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1 F10P40F

(F10P30F / F10P40F) FAST RECOVERY DIODE

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Nihon Inter Electronics
Nihon Inter Electronics
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F10 データシート - 検索結果

部品番号 部品説明 メーカ PDF
F1047B

Infrared Emitting Diode Chip

GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs

Osram Opto Semiconductors
Osram Opto Semiconductors
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F100364F

Low Power 16-Input Multiplexer

National Semiconductor
National Semiconductor
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F100364

Low Power 16-Input Multiplexer

National Semiconductor
National Semiconductor
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F1001C

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

polyfet rf devices General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. TM "Polyfet" process features

Polyfet RF Devices
Polyfet RF Devices
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F100331F

Low Power Triple D Flip-Flop

National Semiconductor
National Semiconductor
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F100164

16 Input Multiplexer

Fairchild Semiconductor
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F10P40F 回路図、ピン配列、同等



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