ERF213B1 データシート PDFこの部品の機能は「Diode ( Rectifier )」です。 |
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部品番号 |
ERF213B1 Diode ( Rectifier ) American Microsemiconductor |
文字列「 ERF213B1 」「 213B1 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
1N2131A 35/40/and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes International Rectifier |
1N2131A (1N2128A - 1N2131AR) Silicon Standard Recovery Diode Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/ Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/ America Semiconductor |
1N2131AR (1N2128A - 1N2131AR) Silicon Standard Recovery Diode Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/ Free Datasheet http://www.datasheet4u.net/ America Semiconductor |
2SC2131 NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in UHF band Mobile radio applications) Mitsubishi Electric Semiconductor |
2SC2131 Trans GP BJT NPN 18V 0.6A 3-Pin T-8E New Jersey Semiconductor |
2SD2131 Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington) 2SD2131 2SD2131 High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1. Toshiba Semiconductor |
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