DSF0.5D データシート PDFこの部品の機能は「Surface Mount Superfast Rectifiers」です。 |
検索結果を表示する |
部品番号 |
DSF0.5D Surface Mount Superfast Rectifiers DSF0.5A-DSF0.5K Surface Mount Superfast Rectifiers 1.0 0.2 0.10-0.30 Features ● Low profile space ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junctions ● Low forward voltage dro LGE |
文字列「 DSF05 」「 0.5D 」で始まる検索結果です。 |
部品説明 |
DSF05S30CTB Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Diode DSF05S30CTB TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type DSF05S30CTB High Speed Switching Application Unit: mm 0.25±0.02 0.65±0.02 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 0.7±0.02 1.2±0.05 CATHODE MARK Characteristic Symbol Rating Unit Reverse voltage Avera Toshiba Semiconductor |
DSF05S30U Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type Diode TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type DSF05S30U DSF05S30U High Speed Switching Application Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Reverse voltage Average forward current Surge current (10ms) Junction temperature S Toshiba Semiconductor |
0230500L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0230500L Silicon Controlled Rectifier Microsemi Corporation |
0405-1000M UHF Pulsed Radar 0405-1000M R3 . 0405-1000M 1000 Watts - 40 Volts, 300µs, 10% UHF Pulsed Radar 400 - 450 MHz GENERAL DESCRIPTION The 0405-1000M is an internally matched, COMMON EMITTER transistor capable of providing 1000 Watts of pulsed RF output power in a push-pull configuration at three hu Microsemi Corporation |
0405B20220 Your right power solution RSG Electronic |
当社のサイトでは、半導体やセンサーからモーター、電源に至るまで、さまざまな製品のデータシートを簡単に検索してダウンロードできる集中型プラットフォームを提供しています。 |