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Igbt Modules - Half Bridge

www.Datasheet.jp DIM200PHM33-F000 DIM200PHM33-F000 Half Bridge IGBT Module Preliminary Information DS5606-1.2 June 2003 FEATURES I I I I KEY PARAMETERS VCES VCE(sat) * IC IC(PK) (typ) (max) (max) 3300V 3.0V 200A 400A Soft Punch Through Silicon 10µs Short Circuit Withstand Isolated MMC Base with AlN Substrates High Thermal Cycling Capability * Measured at auxiliary ter

Dynex Semiconductor
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