DIM200MHS17-A000 データシート PDFこの部品の機能は「Half Bridge Igbt Module」です。 |
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部品番号 |
DIM200MHS17-A000 Half Bridge IGBT Module www.Datasheet.jp DIM200MHS17-A000 DIM200MHS17-A000 Half Bridge IGBT Module Replaces issue March 2002, version DS5459-4.0 DS5459-5.1 June 2002 FEATURES s s s 10µs Short Circuit Withstand Non Pu Dynex |
DIM200MHS17-A000 Igbt Modules - Half Bridge Dynex Semiconductor |
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部品説明 |
CX20017 Dual 16 Bit 44kHz Multiplexed D/A w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c Sony |
PTB20017 150 Watts/ 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor e PTB 20017 150 Watts, 860–900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20017 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation across the 860 to 900 MHz cellular radio frequency band. Rated at 150 watts minimum output power, it Ericsson |
STPS200170TV1 High voltage power Schottky rectifier STPS200170TV1 High voltage power Schottky rectifier Main product characteristics IF(AV) VRRM Tj VF (typ) 2 x 100 A 170 V 150 °C 0.63 V A1 K1 A2 K2 Features and benefits ■ ■ ■ ■ ■ Negligible switching losses Avalanche rated Low leakage curren STMicroelectronics |
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