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Single Switch IGBT Module

Replaces DS6072-5 DIM1500ESM33-TS000 Single Switch IGBT Module DS6072-6 September 2014 (LN31982) FEATURES  10µs Short Circuit Withstand  High Thermal Cycling Capability  Soft Punch Through Silicon  High Current Density Enhanced DMOS SPT  Isolated AlSiC Base With AlN Substrates KEY PARAMETERS VCES VCE(sat) * (typ) IC (max) IC(PK) (max) 3300V 2.2V 1500A 3000A

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Replaces DS6072-5 DIM1500ESM33-TS000 Single Switch IGBT Module DS6072-6 September 2014 (LN31982) FEATURES  10µs Short Circuit Withstand  High Thermal Cycling Capability  Soft Punch Through Silicon  High Current Density Enhanced DMOS SPT  Isolated AlSiC Base With

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