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IGBT Power Module

www.Datasheet.jp DIM100PHM33-A000 DIM100PHM33-A000 Half Bridge IGBT Module PDS5708-1.3 January 2004 FEATURES I I I I KEY PARAMETERS VCES VCE(sat) * IC IC(PK) (typ) (max) (max) 3300V 3.4V 100A 200A 10µs Short Circuit Withstand High Thermal Cycling Capability Non Punch Through Silicon Isolated MMC Base with AlN Substrates *(measured at the power busbars and not the auxi

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DIM100PHM33-A000 DIM100PHM33-A000 Half Bridge IGBT Module PDS5708-1.3 January 2004 FEATURES I I I I KEY PARAMETERS VCES VCE(sat) * IC IC(PK) (typ) (max) (max) 3300V 3.4V 100A 200A 10µs Short Circuit Withstand High Thermal Cycling Capability Non Punch Thr

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