D2396 データシート PDFこの部品の機能は「NPN Transistor」です。 |
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部品番号 |
D2396 NPN Transistor JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors 2SD2396 TRANSISTOR (NPN) TO – 220F FEATURES Available in TO-220 F package Darling connection pro JCET |
D2396 NPN Transistor - 2SD2396 Transistors www.Datasheet.jp 2SD2396 2SC5060 (96-819-D351) (96-733-D416) 323 ROHM Semiconductor |
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部品説明 |
2SC2396 Silicon NPN Epitaxial 2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 Silicon NPN Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SA1025, 2SA1081 and 2SA1082 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC2396, 2SC2543, 2SC2544 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collec Hitachi Semiconductor |
2SD2396 NPN Transistor JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors 2SD2396 TRANSISTOR (NPN) TO – 220F FEATURES Available in TO-220 F package Darling connection provides high dc current gain (hFE) Large collector power dissipation Low f JCET |
2SD2396 Low Frequency Transistor (60V/ 3A) Transistors 2SD2396 2SC5060 (96-819-D351) (96-733-D416) 323 ROHM Semiconductor |
2SD2396 SILICON NPN TRANSISTOR 2SD2396(3DA2396) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于低频率功率放大。 Purpose: Low frequency power amplifier. 特点:直流电流增益高,饱和压降低,集电极耗散功率大,,安全工作区宽。 Features: High DC current gain),low VCE FOSHAN BLUE ROCKET |
2SK2396 Silicon Power MOS FET Renesas |
2SK2396A Silicon Power MOS FET N MOS UHF TV MOS Silicon Power MOS Field Effect Transistor 2SK2396A UHF PO = 100 W, GL = 12 dB, h D = 50 TYP VDD = 30 V, f = 860 MHz, IDQ = 150 mA 2, Pin = 40 dBm f = 470 860 MHz Unit mm TA = 25 D.C. VDS VGS ID PT Rth Tch Tstg 60 7 15 290 0.6 200 65 200 V V A W /W TA Renesas |
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